Промышленность по производству электроники с уклоном на полупроводники - Infineon объявляет о новаторском прогрессе в полупроводниковой продукции.
Infineon, расположенный недалеко от Мюнхена в Neubiberg, смог производить этот материал на пластинах диаметром 300 миллиметров, став первой компанией в мире, добившейся этого достижения. Это достижение делает Infineon оптимистичным в отношении значительного роста продаж этих компонентов, которые необходимы для питания устройств и играют важную роль в серверах ИИ, солнечных установках и электромобилях.
Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек выразил свой энтузиазм, сказав: "Этот технологический прорыв изменит отрасль. В настоящее время мы единственные, кто может производить Галлиевый нитрид (GaN) на пластинах диаметром 300 миллиметров. Некоторые конкуренты все еще на 150 миллиметрах, с планами перейти на 200 миллиметров, где Infineon уже присутствует. Разница больше, чем кажется на первый взгляд: с пластины диаметром 300 миллиметров можно произвести в 2,3 раза больше полупроводников, чем с диска диаметром 200 миллиметров".
Возможности для снижения затрат
"Переход на производство на пластинах диаметром 300 миллиметров открывает новые возможности в области производительности и затрат", подчеркнул Ханебек. "Кроме того, мы получаем выгоду от того, что можем обрабатывать большие пластины GaN на существующем оборудовании для кремния после внесения определенных изменений для этих пластин. Это позволяет нам воспользоваться производительностью, которую мы накапливали десятилетиями".
Ханебек прогнозирует, что цены на рынке GaN скоро сравняются с ценами на кремний. Более крупные пластины ускорят эту тенденцию и стимулируют использование GaN. "Это будет способствовать росту рынка GaN, и мы ожидаем сохранить значительную долю на нем".
Производство, которое будет наращиваться в ближайшие годы, будет осуществляться на австрийском сайте Infineon в Villach, где также проходило развитие. Ханебек объяснил сложности, связанные с новым развитием: "Галлиевый нитрид растет на классической пластине из кремния. Сложность заключается в том, что два материала имеют разные кристаллические структуры - и чем больше пластина, тем выше напряжение. С пластиной диаметром 300 миллиметров это похоже на то, что четыре слона сидят на пенни".
В свете способности Infineon производить Галлиевый нитрид (GaN) на пластинах диаметром 300 миллиметров, компании, занимающиеся электромобильностью, потенциально могут извлечь выгоду из снижения затрат за счет увеличения эффективности и производительности. С потенциальным выравниванием цен на рынке GaN с ценами на кремний электромобили, оснащенные компонентами Infineon, могут стать более доступными, что стимулирует более широкое внедрение электромобильности.
