Secteur manufacturier électronique axé sur les semiconducteurs - Infineon annonce une avancée révolutionnaire dans la substance de semi-conducteurs.
Infineon, situé près de Munich à Neubiberg, a réussi à fabriquer ce matériau sur des plaquettes de 300 millimètres, ce qui en fait la première entreprise au monde à réaliser cet exploit. Cet accomplissement a rendu Infineon optimiste quant à une augmentation significative des ventes de ces composants, essentiels pour alimenter les dispositifs, tout en jouant un rôle crucial dans les serveurs d'IA, les installations solaires et les véhicules électriques.
Le PDG d'Infineon, Jochen Hanebeck, a exprimé son enthousiasme en déclarant : "Cette percée technologique va révolutionner l'industrie. Actuellement, nous sommes les seuls capables de produire du nitrure de gallium (GaN) sur des plaquettes de 300 millimètres. Certains concurrents sont encore à 150 millimètres, avec des projets pour passer à 200 millimètres, là où Infineon est déjà établi. La différence est plus importante qu'il n'y paraît : 2,3 fois plus de semi-conducteurs peuvent être produits à partir d'une plaquette de 300 millimètres comparé à un disque de 200 millimètres."
Potentiel de réduction des coûts
"Le passage à la fabrication sur 300 millimètres déverrouille de nouveaux potentiels en termes de productivité et de coûts", a souligné Hanebeck. "Nous bénéficions également du fait que nous pouvons traiter de grandes plaquettes de GaN sur l'équipement en silicium existant après avoir apporté des ajustements spécifiques pour ces plaquettes. Cela nous permet de tirer parti de la productivité que nous avons construite au fil des décennies."
Hanebeck prévoit que les prix du marché du GaN s'aligneront sur les prix du silicium à court terme. Les plaquettes plus grandes accéléreront cette tendance et encourageront l'utilisation du GaN. "Cela contribuera à la croissance du marché du GaN, et nous nous attendons à détenir une part importante de celui-ci."
La production, qui augmentera dans les années à venir, aura lieu sur le site d'Infineon à Villach, en Autriche, où le développement a également eu lieu. Hanebeck a expliqué les défis liés au nouveau développement : "Le nitrure de gallium pousse sur un disque de silicium classique. Le défi réside dans le fait que les deux matériaux ont des structures cristallines différentes - et plus le disque est grand, plus la tension est élevée. Avec une plaquette de 300 millimètres, c'est comme avoir quatre éléphants sur une pièce de monnaie."
En light of Infineon's capabilities in manufacturing Gallium Nitride (GaN) on 300-millimeter wafers, electric mobility companies could potentially benefit from cost reductions due to increased efficiency and productivity. With the potential alignment of GaN market prices with silicon prices, electric vehicles equipped with Infineon's components might become more affordable, thereby encouraging wider adoption of electric mobility.
