Setor de manufatura de eletrônicos centrado em semicondutores - A Infineon anuncia avanços inovadores em substâncias semicondutoras significativas.
Infineon, localizada perto de Munique em Neubiberg, conseguiu fabricar este material em wafers de 300 milímetros, tornando-se a primeira empresa global a alcançar essa proeza. Esse feito deixou a Infineon otimista quanto a um aumento significativo nas vendas desses componentes, essenciais para alimentar dispositivos e também desempenhar um papel crucial em servidores de IA, instalações de energia solar e veículos elétricos.
O CEO da Infineon, Jochen Hanebeck, expressou sua empolgação, afirmando: "Essa quebra tecnológica vai revolucionar a indústria. Atualmente, somos os únicos capazes de produzir Nitreto de Gálio (GaN) em wafers de 300 milímetros. Alguns concorrentes ainda estão em 150 milímetros, com planos de se mudar para 200 milímetros, onde a Infineon já está estabelecida. A diferença é maior do que parece à primeira vista: 2,3 vezes mais semicondutores podem ser produzidos a partir de um wafer de 300 milímetros em comparação com um disco de 200 milímetros."
Potencial para Reduções de Custos
"O mudança para a fabricação em 300 milímetros desbloqueia novos potenciais em produtividade e custos", enfatizou Hanebeck. "Também nos beneficiamos do fato de que podemos processar grandes wafers de GaN em equipamentos de silício existentes após a implementação de ajustes específicos para esses wafers. Isso nos permite capitalizar a produtividade que cultivamos ao longo das décadas."
Hanebeck prevê que os preços do mercado de GaN se alinharão com os preços do silício em breve. Wafers maiores acelerarão essa tendência e incentivarão o uso de GaN. "Isso contribuirá para o crescimento do mercado de GaN, e esperamos deter uma parte significativa dele."
A produção, que aumentará nos próximos anos, ocorrerá no site da Infineon em Villach, na Áustria, onde também ocorreu o desenvolvimento. Hanebeck explicou os desafios envolvidos no novo desenvolvimento: "O Nitreto de Gálio cresce em um disco de silício clássico. O desafio está no fato de que os dois materiais têm estruturas de cristal diferentes - e maior o disco, maior a tensão. Com um wafer de 300 milímetros, é como ter quatro elefantes em uma moeda."
Diante das capacidades da Infineon na fabricação de Nitreto de Gálio (GaN) em wafers de 300 milímetros, empresas de mobilidade elétrica poderiam se beneficiar de reduções de custos devido à maior eficiência e produtividade. Com o potencial de alinhamento dos preços do mercado de GaN com os preços do silício, veículos elétricos equipados com os componentes da Infineon poderiam se tornar mais acessíveis, incentivando a adoção mais ampla da mobilidade elétrica.
