Settore di produzione di elettronica concentrato sui semiconduttori - Infineon annuncia un progresso rivoluzionario nella sostanza semiconduttrice significativa.
Infineon, situata vicino a Monaco a Neubiberg, è riuscita a produrre questo materiale su wafer da 300 millimetri, diventando la prima azienda al mondo a raggiungere questo traguardo. Questo risultato ha reso Infineon ottimista riguardo a un notevole aumento delle vendite di questi componenti, essenziali per alimentare i dispositivi e svolgere un ruolo cruciale nei server AI, negli impianti solari e nei veicoli elettrici.
Il CEO di Infineon, Jochen Hanebeck, ha espresso la sua eccitazione, dichiarando: "Questo breakthrough tecnologico rivoluzionerà l'industria. Attualmente, siamo gli unici in grado di produrre Nitruro di Gallio (GaN) su wafer da 300 millimetri. Alcuni concorrenti sono ancora a 150 millimetri, con progetti di passare a 200 millimetri, dove Infineon è già stabilita. La differenza è più significativa di quanto possa sembrare a prima vista: si possono produrre 2,3 volte più semiconduttori da un wafer da 300 millimetri rispetto a un disco da 200 millimetri".
Potenziale per la riduzione dei costi
"Il passaggio alla produzione su wafer da 300 millimetri sblocca nuovi potenziali in termini di produttività e costi", ha sottolineato Hanebeck. "Inoltre, beneficiamo del fatto che possiamo elaborare grandi wafer di GaN su attrezzature per silicio esistenti dopo aver apportato specifiche modifiche per questi wafer. Ciò ci consente di capitalizzare sulla produttività che abbiamo accumulato negli ultimi decenni".
Hanebeck prevede che i prezzi del mercato del GaN si allineeranno presto con i prezzi del silicio. I wafer più grandi accelereranno questa tendenza e incoraggeranno l'uso del GaN. "Ciò contribuirà alla crescita del mercato del GaN e prevediamo di detenere una quota significativa di esso".
La produzione, che aumenterà nei prossimi anni, avrà luogo nel sito austriaco di Infineon a Villach, dove si è anche svolto lo sviluppo. Hanebeck ha spiegato le sfide del nuovo sviluppo: "Il Nitruro di Gallio cresce su un classico disco di silicio. La sfida consiste nel fatto che i due materiali hanno strutture cristalline diverse - e maggiore è il disco, maggiore è la tensione. Con un wafer da 300 millimetri, è come avere quattro elefanti su una monetina".
Data la capacità di Infineon di produrre Nitruro di Gallio (GaN) su wafer da 300 millimetri, le aziende di mobilità elettrica potrebbero trarre beneficio da riduzioni dei costi grazie a un aumento di efficienza e produttività. Con il potenziale allineamento dei prezzi del mercato del GaN con i prezzi del silicio, i veicoli elettrici equipaggiati con i componenti di Infineon potrebbero diventare più economici, incoraggiando così l'adozione più ampia della mobilità elettrica.
