- Infineon gibt einen bahnbrechenden Fortschritt in der Entwicklung von Halbleitern bekannt.
Infineon, in der Nähe von München in Neubiberg ansässig, hat es geschafft, dieses Material auf 300-Millimeter-Wafern herzustellen und ist damit das erste Unternehmen weltweit, das diese Leistung erbracht hat. Dieser Erfolg hat Infineon optimistisch gemacht für einen erheblichen Anstieg der Verkäufe dieser Komponenten, die für die Stromversorgung von Geräten unerlässlich sind und auch eine wichtige Rolle in AI-Servern, Solarstromanlagen und Elektrofahrzeugen spielen.
Infineon-CEO Jochen Hanebeck zeigte sich begeistert und erklärte: "Dieser technologische Durchbruch wird die Branche revolutionieren. Momentan sind wir die einzigen, die in der Lage sind, Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern herzustellen. Einige Wettbewerber sind noch bei 150 Millimetern und planen, auf 200 Millimeter umzusteigen, wo Infineon bereits etabliert ist. Der Unterschied ist größer, als es auf den ersten Blick scheint: Von einem 300-Millimeter-Wafer können 2,3-mal mehr Halbleiter produziert werden als von einer 200-Millimeter-Scheibe."
Potential für Kosteneinsparungen
"Der Wechsel zur 300-Millimeter-Herstellung eröffnet neue Potenziale in Produktivität und Kosten", betonte Hanebeck. "Wir profitieren auch davon, dass wir große GaN-Wafer auf bestehenden Siliziumgeräten verarbeiten können, nachdem wir spezifische Anpassungen für diese Wafer vorgenommen haben. Dies ermöglicht es uns, die Produktivität zu nutzen, die wir über Jahrzehnte aufgebaut haben."
Hanebeck prophezeit, dass sich die GaN-Marktpreise in naher Zukunft den Siliziumpreisen angleichen werden. größere Wafer werden diesen Trend beschleunigen und die Verwendung von GaN erleichtern. "Das wird zum Wachstum des GaN-Marktes beitragen, und wir erwarten, einen erheblichen Anteil daran zu haben."
Die Produktion, die in den kommenden Jahren hochgefahren wird, findet an Infineons Standort in Villach, Österreich, statt, wo auch die Entwicklung stattfand. Hanebeck erläuterte die Herausforderungen bei der neuen Entwicklung: "Galliumnitrid wächst auf einer klassischen Siliziumscheibe. Die Herausforderung besteht darin, dass die beiden Materialien unterschiedliche Kristallstrukturen haben - und je größer die Scheibe, desto höher die Spannung. Bei einem 300-Millimeter-Wafer ist es, als hätten wir vier Elefanten auf einer Münze."
Angesichts der Fähigkeiten von Infineon bei der Herstellung von Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern könnten Unternehmen der Elektromobilität von Kosteneinsparungen durch erhöhte Effizienz und Produktivität profitieren. Mit dem Potenzial der Angleichung der GaN-Marktpreise an die Siliziumpreise könnten Elektrofahrzeuge mit Infineon-Komponenten erschwinglicher werden und thereby die breitere Akzeptanz der Elektromobilität fördern.
