Sector de manufactura de electrónica enfocado en semiconductores - Infineon anuncia un avance innovador en sustancias semiconductoras importantes.
Infineon, ubicada cerca de Múnich en Neubiberg, ha logrado fabricar este material en wafers de 300 milímetros, convirtiéndose así en la primera empresa a nivel mundial en lograr esta hazaña. Este logro ha dejado a Infineon optimista sobre un aumento significativo en las ventas de estos componentes, esenciales para alimentar dispositivos y también desempeñan un papel crucial en los servidores de IA, las instalaciones solares y los vehículos eléctricos.
El CEO de Infineon, Jochen Hanebeck, expresó su emoción, stating, "Este avance tecnológico está destinado a revolucionar la industria. Actualmente, somos los únicos capaces de producir nitruro de galio (GaN) en wafers de 300 milímetros. Algunos competidores aún están en 150 milímetros, con planes de mudarse a 200 milímetros, donde Infineon ya está establecido. La diferencia es más significativa de lo que parece a primera vista: se pueden producir 2.3 veces más semiconductores a partir de un wafer de 300 milímetros en comparación con un disco de 200 milímetros."
Potencial para Reducciones de Costos
"El cambio a la fabricación de 300 milímetros desbloquea nuevos potenciales en productividad y costos", enfatizó Hanebeck. "También nos beneficiamos del hecho de que podemos procesar grandes wafers de GaN en equipos de silicio existentes después de implementar ajustes específicos para estos wafers. Esto nos permite capitalizar la productividad que hemos cultivado durante décadas".
Hanebeck predice que los precios del mercado de GaN se alinearán con los precios del silicio en un futuro próximo. Los wafers más grandes acelerarán esta tendencia y fomentarán el uso de GaN. "Esto contribuirá al crecimiento del mercado de GaN y anticipamos mantener una parte significativa de él".
La producción, que se intensificará en los próximos años, tendrá lugar en el sitio de Infineon en Villach, Austria, donde también tuvo lugar el desarrollo. Hanebeck explicó los desafíos involucrados en el nuevo desarrollo: "El nitruro de galio crece en un disco de silicio clásico. El desafío radica en el hecho de que los dos materiales tienen estructuras cristalinas diferentes - y cuanto mayor sea el disco, mayor será la tensión. Con un wafer de 300 milímetros, es como tener cuatro elefantes en una moneda".
Dado que Infineon tiene capacidades en la fabricación de nitruro de galio (GaN) en wafers de 300 milímetros, las empresas de movilidad eléctrica podrían potencialmente beneficiarse de reducciones de costos debido a la mayor eficiencia y productividad. Con el potencial de que los precios del mercado de GaN se alineen con los precios del silicio, los vehículos eléctricos equipados con los componentes de Infineon podrían volverse más asequibles, lo que fomentaría la adopción más amplia de la movilidad eléctrica.
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